主要研究方向：
長期從事化合物半導(dǎo)體材料化學(xué)機械拋光及集成電路制造領(lǐng)域關(guān)鍵材料的平坦化的理論創(chuàng)新、技術(shù)突破與工程應(yīng)用研究，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料拋光與集成電路平坦化制造過程中的基礎(chǔ)共性問題，系統(tǒng)地開展了“碳化硅、氮化硅等第三代化合物半導(dǎo)體材料化學(xué)機械拋光”與“針對先進技術(shù)節(jié)點鉬阻擋層材料化學(xué)機械拋光”研究。在提高單晶碳化硅化學(xué)機械拋光速率、降低CMP后碳化硅表面缺陷等共性核心基礎(chǔ)理論與技術(shù)方面取得重大突破。相關(guān)研究成果成功應(yīng)用于材料超精密加工、半導(dǎo)體材料加工等領(lǐng)域。
學(xué)術(shù)稱號：
教授，博士生導(dǎo)師，微電子技術(shù)與材料方向負(fù)責(zé)人。
所獲獎項及重大科研成果：
主持包括重大專項二期項目“20-14nm集成電路堿性拋光液與清洗液的研發(fā)”，河北省科技廳“倒裝大功率LED芯片新技術(shù)的研究”，發(fā)表SCI論文20余篇，獲批發(fā)明專利3項（其中美國發(fā)明專利一項）。兼任中國平坦化協(xié)會理事、河北省歐美同學(xué)會理事；擔(dān)任國際ICPT平坦化委員會程序委員。曾獲得河北省燕趙友誼獎。
